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Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247AC
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-247AC
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
520 W
R(DS)(on)
2.6 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
13,44 €
3
6% = 0,74 €
12,70 €
5
7% = 0,99 €
12,45 €
10
9% = 1,24 €
12,20 €
25
10% = 1,36 €
12,08 €
50
12% = 1,61 €
11,83 €
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Gesamt (13,44 € / Stück)
13,44 €
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Highlights & Details
Transistor unipolar (MOSFET)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFP4468PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-247AC
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
195 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
520 W
- R(DS)(on)
2.6 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
180 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
540 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
19860 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 161038 Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247AC
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 161038 Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247AC