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Conrad

ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 P-Kanal 800 mW SOT-23-6

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-6
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
800 mW
R(DS)(on)
33 mΩ
EAN:
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

FDC604P

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

SOT-23-6

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Ausführung

P-Kanal

I(d)

5.5 A

U

20 V

Leistung (max) P(TOT)

800 mW

R(DS)(on)

33 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

5.5 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

4.5 V

U(GS)(th) max.

1.5 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

30 nC

Q(G) Referenz-Spannung

4.5 V

C(ISS)

1926 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

10 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Serie

PowerTrench®

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Logic Level Gate

U(DSS)

20 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263343 ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 P-Kanal 800 mW SOT-23-6

Wird oft zusammen gekauft

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

5,38 €*

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Zubehör

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