ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN kaufen

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

8 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

400 V

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Leistungs-Schalttransistor

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Technische Daten

Typ: MJE13007G

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-220AB

Hersteller: ON Semiconductor

Herst.-Abk.: OnS

Kanäle: 1

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 8 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 400 V

VCE Sättigung (max.): 3 V

Kollektor Reststrom I(CES): 100 µA

Leistung (max) P(TOT): 80 W

Serie: SWITCHMODE™

DC Stromverstärkung (hFE): 5

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V

Transitfrequenz f(T): 14 MHz

Montageart: Durchführungsloch

Inhalt: 1 St.

Dokumente & Downloads

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151208 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN