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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
15 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
Datenblatt (PDF)
Sofort-Lieferung Do., 22. Okt.
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60
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

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Technische Daten

Typ

BD911

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

STMicroelectronics

Herst.-Abk.

STM

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

15 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

100 V

VCE Sättigung (max.)

3 V

Kollektor Reststrom I(CES)

1 mA

Leistung (max) P(TOT)

90 W

DC Stromverstärkung (hFE)

15

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

5 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

4 V

Transitfrequenz f(T)

3 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 151012 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151012 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

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Gesamtpreis:

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Zubehör

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