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Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 N-Kanal 3.7 W SOIC-8
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
3.7 W
R(DS)(on)
41 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
SI4946BEY-T1-E3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Herst.-Abk.
VIS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
6.5 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
3.7 W
- R(DS)(on)
41 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
5.3 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
25 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
840 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
30 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
TrenchFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 N-Kanal 3.7 W SOIC-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 N-Kanal 3.7 W SOIC-8
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