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Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
710 mW
R(DS)(on)
57 mΩ
Datenblatt (PDF)
2581 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
0,69 €
10
9% = 0,06 €
0,63 €
25
12% = 0,08 €
0,61 €
50
13% = 0,09 €
0,60 €
100
14% = 0,10 €
0,59 €
250
17% = 0,12 €
0,57 €
500
20% = 0,14 €
0,55 €
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
SI2302CDS-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Vishay
- Herst.-Abk.
VIS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
2.6 A
- U
20 V
- Leistung (max) P(TOT)
710 mW
- R(DS)(on)
57 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
3.6 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
- U(GS)(th) max.
0.85 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
5.5 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
TrenchFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
20 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3