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Conrad

Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
710 mW
R(DS)(on)
57 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

SI2302CDS-T1-GE3

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

Vishay

Herst.-Abk.

VIS

Ausführung

N-Kanal

I(d)

2.6 A

U

20 V

Leistung (max) P(TOT)

710 mW

R(DS)(on)

57 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

3.6 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

4.5 V

U(GS)(th) max.

0.85 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

5.5 nC

Q(G) Referenz-Spannung

4.5 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Serie

TrenchFET®

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

20 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

3,31 €3,07 €*

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