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Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
6.5 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,67 €
10
8% = 0,13 €
1,54 €
25
10% = 0,17 €
1,50 €
50
13% = 0,22 €
1,45 €
100
14% = 0,24 €
1,43 €
250
17% = 0,29 €
1,38 €
500
20% = 0,33 €
1,34 €
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Anzahl
Gesamt (1,67 € / Stück)
1,67 €
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF3205ZPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
75 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
6.5 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
66 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
110 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
3450 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 164338 Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 164338 Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB