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Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-263-3

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-263-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
18 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
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Highlights & Details

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRF3710Z

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-263-3

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

59 A

U

100 V

Leistung (max) P(TOT)

160 W

R(DS)(on)

18 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

35 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

120 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

2900 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

100 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 164339 Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-263-3

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 164339 Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-263-3

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