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Conrad

Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
341 W
R(DS)(on)
69 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRFB4137PBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220-3

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

38 A

U

300 V

Leistung (max) P(TOT)

341 W

R(DS)(on)

69 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

24 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

5 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

125 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

5168 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

50 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

300 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 564027 Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564027 Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3

Wird oft zusammen gekauft

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

45,90 €*

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Zubehör

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