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Conrad

ON Semiconductor FDP80N06 MOSFET 1 N-Kanal 176 W TO-220-3

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
176 W
R(DS)(on)
10 mΩ
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

FDP80N06

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Ausführung

N-Kanal

I(d)

80 A

U

60 V

Leistung (max) P(TOT)

176 W

R(DS)(on)

10 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

40 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

74 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

3190 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Serie

UniFET™

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

60 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263824 ON Semiconductor FDP80N06 MOSFET 1 N-Kanal 176 W TO-220-3

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

4,94 €4,44 €*

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Zubehör

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